{"id":98761,"date":"2016-11-03T06:48:12","date_gmt":"2016-11-03T08:48:12","guid":{"rendered":"http:\/\/www.redenoticia.com.br\/noticia\/?p=98761"},"modified":"2016-11-01T18:49:07","modified_gmt":"2016-11-01T20:49:07","slug":"pos-doutorado-em-ciencias-dos-materiais-com-bolsa-da-fapesp","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/migracao.redenoticia.com.br\/noticia\/2016\/pos-doutorado-em-ciencias-dos-materiais-com-bolsa-da-fapesp\/98761","title":{"rendered":"P\u00f3s-Doutorado em Ci\u00eancias dos Materiais com Bolsa da FAPESP"},"content":{"rendered":"<p> Ag\u00eancia FAPESP \u2013 O Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais (), um dos Centros de Pesquisa, Inova\u00e7\u00e3o e Difus\u00e3o (CEPIDs) da FAPESP, oferece uma oportunidade de <strong><em>P\u00f3s-Doutorado em Ci\u00eancias dos Materiais<\/em><\/strong> com bolsa da Funda\u00e7\u00e3o. O prazo de inscri\u00e7\u00e3o encerra em 4 de novembro.<\/p>\n<p>O bolsista atuar\u00e1 junto \u00e0 equipe do Instituto de Qu\u00edmica da Universidade Estadual Paulista (Unesp), em Araraquara, que realiza estudo detalhado sobre a influ\u00eancia da modula\u00e7\u00e3o do sinal el\u00e9trico sobre a performance de dispositivos sensores de g\u00e1s de jun\u00e7\u00e3o p-n baseados em nanoestruturas semicondutoras 1D.<\/p>\n<p>O projeto utiliza nanoestruturas com diferentes estequiometrias do \u00f3xido de estanho (SnO2, SnO e Sn3O4) e \u00f3xido de cobre (CuO e Cu2O) para projetar um elemento sensor cruzado a fim de construir dispositivos constitu\u00eddos por (a) apenas um canal-n; (b) apenas um canal-p; e (c) multicanais em um \u00fanico dispositivo. As propriedades de sensor de g\u00e1s dos dispositivos ser\u00e3o analisadas ap\u00f3s exposi\u00e7\u00e3o a baixas concentra\u00e7\u00f5es (no intervalo de ppm) de gases oxidantes e redutores em diferentes temperaturas de opera\u00e7\u00e3o utilizando sistemas de aquecimento externo e de self-heating.<\/p>\n<p>O maior desafio deste trabalho ser\u00e1 construir e caracterizar um novo e sofisticado dispositivo sensor de g\u00e1s &#8220;3 em 1&#8221; (formado pela intersec\u00e7\u00e3o de duas nanoestruturas cruzadas) com um design especial que permita estudar simultaneamente, em um \u00fanico dispositivo, as propriedades sensoras de tr\u00eas canais de forma independente.<\/p>\n<p>O foco do trabalho ser\u00e1 a compreens\u00e3o de como otimizar as suas respostas como sensor de g\u00e1s, permitindo o desenvolvimento de novos dispositivos eletr\u00f4nicos multifuncionais de alto desempenho com potencial para serem utilizados como sensores qu\u00edmicos.<\/p>\n<p>Os candidatos devem ter experi\u00eancia com Focus Ion Beam e estudos de sensor de g\u00e1s em semicondutores.<\/p>\n<p>Os interessados devem enviar carta de interesse, curriculum vitae resumido, contendo grau acad\u00eamico, publica\u00e7\u00f5es e documentos comprovando experi\u00eancia na \u00e1rea, al\u00e9m de duas cartas de recomenda\u00e7\u00e3o para Marcelo Ornaghi Orlandi, pesquisador principal do projeto, no endere\u00e7o orlandi@iq.unesp.br.<\/p>\n<p>A oportunidade est\u00e1 publicada no endere\u00e7o .<\/p>\n<p>O selecionado receber\u00e1 bolsa de P\u00f3s-Doutorado da FAPESP no valor de R$ 6.819,30 mensais e Reserva T\u00e9cnica. A Reserva T\u00e9cnica da bolsa de PD equivale a 15% do valor anual da bolsa e tem o objetivo de atender a despesas imprevistas e diretamente relacionadas \u00e0 atividade de pesquisa.<\/p>\n<p>Caso o bolsista resida em domic\u00edlio diferente e precise se mudar para a cidade onde se localiza a institui\u00e7\u00e3o-sede da pesquisa, poder\u00e1 ter direito a um Aux\u00edlio-Instala\u00e7\u00e3o, composto por uma mensalidade adicional e despesas de transporte, quando houver deslocamento por dist\u00e2ncia superior a 350 quil\u00f4metros. Esse benef\u00edcio precisa ser aprovado pela FAPESP.<\/p>\n<p>Mais informa\u00e7\u00f5es sobre a bolsa de P\u00f3s-Doutorado da FAPESP est\u00e3o dispon\u00edveis em .<\/p>\n<p>Outras vagas de bolsas de P\u00f3s-Doutorado, em diversas \u00e1reas do conhecimento, est\u00e3o no site .<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Ag\u00eancia FAPESP \u2013 O Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais (), um dos Centros de Pesquisa, Inova\u00e7\u00e3o e Difus\u00e3o (CEPIDs) da FAPESP, oferece uma oportunidade de P\u00f3s-Doutorado em Ci\u00eancias dos Materiais com bolsa da Funda\u00e7\u00e3o. O prazo de inscri\u00e7\u00e3o encerra em 4 de novembro. 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